磁性非易失MRAM
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磁性隨機存儲器芯片(MRAM)磁性隨機存儲器芯片(MRAM)

一種非揮發性的磁性隨機存儲器。
它擁有靜態隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力,
以及動態隨機存儲器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以無限次地重復寫入
Everspin MRAM其原理是利用電子自旋的磁性結構,來提供不會產生損耗的非揮發特性。
Everspin MRAM可在集成了硅電路的磁性材料中存儲信息,以在單一、可無限使用的組件中提供SRAM的速度以及閃存的非揮發特性。
Everspin代理商logoEverspin Technologies 串行MRAM具有兼容串行EEPROM和串行閃存的讀/寫時序,沒有寫入延遲,而且耐讀/寫能力出色。與其他串行存儲器不同,這些存儲器的讀/寫操作可以是隨機的,而且沒有寫入延遲。 Everspin MRAM可以說是理想的存儲器解決方案。并且都與串行EEPROM、閃存和FeRAM產品兼容。能夠運行于工業級(-40°至+85 °C)和AEC-Q100 Grade 1(-40°C至+125 °C)溫度范圍內,并在整個溫度范圍內提供高度可靠的數據存儲能力。
型號 容量 VDDQ 電源電壓 速度 溫度范圍 包裝 封裝 PDF
MR10Q010SC 1Mb 1.8 3.3v 40MHz/104MHz Commercial Tray 16-SOIC 聯系我們
MR10Q010SCR 1Mb 1.8 3.3v 40MHz/104MHz Commercial Tape & Reel 16-SOIC 聯系我們
MR10Q010CSC 1Mb 1.8 3.3v 40MHz/104MHz Industrial Tray 16-SOIC 聯系我們
MR10Q010CSCR 1Mb 1.8 3.3v 40MHz/104MHz Industrial Tape & Reel 16-SOIC 聯系我們
MR10Q010MB 1Mb 1.8 3.3v 40MHz/104MHz Commercial Tray 24-BGA 聯系我們
MR10Q010MBR 1Mb 1.8 3.3v 40MHz/104MHz Commercial Tape & Reel 24-BGA 聯系我們
MR10Q010CMB 1Mb 1.8 3.3v 40MHz/104MHz Industrial Tray 24-BGA 聯系我們
MR10Q010CMBR 1Mb 1.8 3.3v 40MHz/104MHz Industrial Tape & Reel 24-BGA 聯系我們
備注:如需了解更多關于產品資訊,請聯系我們 0755-2372 3970,我們竭誠為您服務。
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