非易失性NV-SRAM
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非易失性存儲器芯片(NV SRAM)非易失性存儲器芯片(NV SRAM)

NVSRAM可提供16kb至16Mb的存儲容量,存取時間高達70ns。讀、寫接口均與SRAM保持一致
標準Vcc條件下NVSRAM與同等速度SRAM的操作完全相同
無需擔心存儲數據分區問題,數據存儲位置與標準SRAM相同。
cypress賽普拉斯(Cypress)的NV SRAM產品提供無限的讀/寫耐久性,100萬次斷電存儲周期,高速讀寫,非易失性數據保持和RTC。NV SRAM使用外部Vcap電容來完成斷電時的非易失性數據傳輸。賽普拉斯(Cypress)的NV SRAM產品是多種應用的理想選擇,包括RAID存儲,工業控制和自動化設備以及智能電表,計算和網絡,航空電子和國防以及電子游戲系統。
型號 容量 位寬 速度 最高工作電壓 最低工作電壓 操作溫度 封裝 PDF
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