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MRAM在存算一體上展現出的優勢

來源: 日期:2022-05-07 10:40:18

到目前為止,多種存儲器介質被研究用于構建存算一體系統,包括基于電荷存儲原理的傳統存儲器和基于電阻存儲原理的新型存儲器。傳統存儲器主要包括SRAM、DRAM和 Flash。其中SRAM和DRAM是易失性器件,頻繁的刷新并不利于降低功耗。而Flash雖然是非易失性的,但是隨著讀寫次數增加,浮柵氧化層會逐漸失效,反復讀寫可靠性很低。因此,各種基于電阻改變的新型存儲器是實現存算一體的有效載體。
 
這其中主要包括相變存儲器(PCM)、電阻記憶存儲器(RRAM)和磁性隨機存儲器(MRAM)。PCM和RRAM基于原子層級重構來改變阻值,優點是有較大的阻值窗口,而缺點則是讀寫速度和讀寫可靠性要劣于MRAM。MRAM則是基于對電子“自旋”的控制,可以達到理論上的零靜態功耗,同時具有高速和非易失性以及近乎無限的寫入次數。MRAM在速度、耐久性、功耗這些方面具有不可替代的優越性。因此,MRAM是實現存算一體的理想存儲器之一。
 
MRAM是一種使用電子自旋來存儲信息的存儲技術。MRAM 具有成為通用存儲器的潛力——能夠將存儲存儲器的密度與SRAM 的速度相結合,同時具有非易失性和節能性。MRAM 可以抵抗高輻射,可以在極端溫度條件下運行,并且可以防篡改。這使得 MRAM 適用于汽車、工業、軍事和空間應用,
 
關鍵詞:MRAM,SRAM
 
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