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串口FRAM與EEPROM/閃存的比較

來源: 日期:2022-03-07 11:39:17

鐵電存儲器FRAM是一種具有快速寫入速度的非易失性存儲器。與傳統的非易失性存儲器相比,FRAM不需要備用電池來保留數據,并且具有更高的讀/寫耐久性,更快的寫入速度操作和更低的功耗。下面來進行串口FRAM vs EEPROM /閃存的比較。
 
串口FRAM vs EEPROM/閃存
 
與傳統的非易失性存儲器(如EEPROM和閃存)相比,FRAM具有更快的寫入速度,更高的耐久性和更低的功耗等優點。采用FRAM代替EEPROM和閃存具有以下優勢。
 
1、性能改進
 
由于快速的寫入速度,即使在突然停電的情況下,FRAM可以保存寫入數據。不僅如此,FRAM可記錄數據比EEPROM和閃存更頻繁。寫入數據時,EEPROM和閃存需要高電壓,從而比FRAM消耗更多的功率。因此,通過使用FRAM,在電池供電的小型設備中的電池壽命可以延長??傊?,FRAM是:
•在突然停電時FRAM可以保存寫入數據
•可以進行頻繁的數據記錄
•可以延長電池供電設備的電池壽命
 
2、降低總成本
 
在工廠中將參數寫入每個產品的情況下,由于FRAM與EEPROM和閃存相比可以縮短寫入時間,因此FRAM可以有助于降低制造成本。此外,FRAM可以為您提供單一芯片解決方案從而代替多芯片解決方案,例如,由EEPROM + Flash組成的兩個芯片方案,或由EEPROM + SRAM +電池組成的三個器件方案。
•縮短在每個產品中寫入參數的總時間
•減少最終產品中使用的元器件數量

本文關鍵詞:FRAM,EEPROM,串口FRAM


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